CPO从“PPT上的革命”到“机柜里的现实”，大多数人盯着英伟达交换机什么时候出货、光模块厂商拿到多少订单。但真正卡脖子的不在终端，在产线上——光子器件的耦合效率、测试流程的覆盖能力、异构集成的良率，这些东西才是CPO能不能规模化放量的命门。市场老觉得CPO就是“光模块的下一代”，忽略了它本质上是一个制造问题，不是一个设计问题。


第一个事：量产测试不是“测一下就行”，四道Insertion每一道都是鬼门关

CPO的测试流程分了四段——ins1是晶圆级单面测试，ins2是晶圆减薄加COUPE键合后的双面光电测试，ins3是切割贴装后的单芯片测试，ins4是模组成品测试。

很多人以为测试就是插上电看看亮不亮。实际上CPO是“上电下光”的3D堆叠结构，晶圆顶面走电信号、底面走光信号。光子集成电路和电子集成电路键合在一起之后，如果才发现光子部分有问题，整个模组直接报废。这就意味着ins1阶段必须把不良品筛掉，否则后面全是白干。

罗博特科今年上半年光电子及半导体封测设备营收4.88亿元，同比涨了952%。公司披露的重大合同金额累计超过17亿元。ficonTEC的WLT-D2双面晶圆测试设备是全球首创，能同时测晶圆正反两面的电学和光学性能。目前ins2和ins3已经批量供货，ins4的全自动系统级设备已经启动。从设备单价看，ins4最贵，ins3其次，ins2排最后。

一个细节：苏州基地月产能已经能做到300到400台。这说明什么？设备端的量产能力在往上走，但订单还在持续追加——3月份签了第二批双面晶圆测试设备的量产化订单，8月份又签了1600多万美元的耦合设备订单。需求没停下来过。

第二个事：光路耦合的方案没统一，设备商反而通吃

光子器件对损耗极其敏感。耦合效率低一点，CPO低功耗的优势就被抵消了。现在行业里光路耦合的路数五花八门——V型槽FAU贴装（成熟但不可插拔）、台积电COUPE的硅基集成光栅耦合可插拔方案、Intel的玻璃桥USB式光插拔方案、双透镜边缘耦合方案，四条线同时在跑。

炬光科技卡的位置是ELS外部光源这一块，提供快慢轴一体准直透镜和氮化铝陶瓷散热衬底。硅光CPO普遍采用外部光源，搭配透镜和隔离器实现激光耦合。公司自己说得很清楚，定位于CPO产业链中的元器件供应商。

康宁今年6月发布了玻璃桥方案，市场上有声音说这会冲击炬光的业务。但炬光的回应是：玻璃桥和现有方案更多是互补关系，不是替代。目前CPO的光耦合技术路线还没形成统一标准，多种方案并行发展。对设备商来说反而是好事——不管哪条路线跑出来，耦合设备都得用。

再说巨量混合集成MHI。Die to Wafer批量贴装，单次能贴300多颗芯片，45到60秒完成，贴装精度3σ ±0.5μm。这套东西用来把III-V族光器件批量转移到SiN氮化硅波导晶圆上。传统Pick & Place工艺里，精度做到3微米的话每小时产出只有几百颗。MHI直接把精度干到0.5微米级别，效率还更高。这不解决，CPO工业化量产就是空话。


英伟达Spectrum-X交换机今年8月宣布全面量产，链路损耗从传统方案的22dB降到4dB左右。但TrendForce的数据是，2026年CPO在AI数据中心光通信模块里的渗透率只有0.5%左右。从0.5%到规模化，中间差的不是设计图纸，是产线上每一道工序的良率爬坡。

CPO不是光模块的简单升级，是制造范式的一次切换。盯着终端出货量的人多，盯着产线上设备订单和测试流程的人少。等大部分人反应过来的时候，设备端的订单早就跑完了。