2026年10月13日，马斯克在社交平台X，点评长鑫存储DRAM技术突破引发海外存储股大跌这件事。他一方面肯定中国强大的规模化制造能力，同时也区分了不同存储芯片的技术门槛。
马斯克认为，只要掌握制造工艺，中国的量产能力往往非常强，锂电池、光伏就是很好的例子。除了SpaceX之外，全球大部分入轨载荷都来自中国。
在存储芯片上，他把赛道分成两类。LPDDR5、LPDDR6这类标准化内存，国内追赶速度很快；而HBM、SRAM、3D堆叠内存搭配散热方案，技术壁垒更高，突破难度更大。
事件背景是长鑫存储公布4F² DRAM架构突破，计划2026年底推出DDR5服务器内存。消息出来，美股半导体指数下跌，美光、SK海力士等存储大厂股价走弱。有博主质疑长鑫从技术突破到大规模交付的能力，马斯克转发帖子发表了上述看法。
他的核心不是评判芯片设计，而是看重中国制造量产的系统性优势。市场也出现分歧，有人担心国产DRAM冲击全球市场，也有人认为，实验室技术到稳定商用交付，还有不少难关要闯。
马斯克这次转发评论，其实看得很客观，没有一味吹捧，也没有刻意贬低。
他一眼点出了中国制造最核心的竞争力：规模化量产能力。回顾锂电池、光伏这些赛道，都是先完成技术追赶，再依靠强大的供应链、产能建设，快速把产品铺开，改变全球市场格局，这也是海外存储企业感到紧张的根本原因。长鑫存储4F² DRAM技术消息一出，海外存储板块应声大跌，市场已经提前反应了这份担忧。
但马斯克也很清醒，做了清晰的难度划分。像LPDDR这类标准化内存，技术路线成熟，国内追赶速度会更快；而HBM、SRAM、3D堆叠配套散热方案，属于更高壁垒的领域，不只是单纯工艺问题，材料、设备、封装、整套验证体系环环相扣，想要实现成熟量产，还有很长的路要走。他没有笼统地说存储芯片全部都能快速突破，区分了赛道难度，这个看法相对理性。
还有一个细节值得留意，他提到SpaceX是少见的例外，除此之外全球大部分入轨载荷来自中国，这也是侧面认可国内工业制造落地的硬实力。
当然，也要分清两个概念：实验室技术突破，不等于大规模稳定供货。技术论文、架构研发成功，是第一步；后面还要经过良率爬坡、长时间可靠性测试、服务器客户认证，这中间存在很多不确定性，这也是网上部分博主提出质疑的地方。
资本市场的反应，更多是预期层面的博弈。海外存储股下跌，是市场担心未来全球DRAM供需格局改变，国产新产能会冲击现有企业的份额。但产能落地节奏、客户导入进度，都还需要时间验证，短期还不会立刻改写市场格局。
马斯克这段话的核心逻辑：中国制造业强在规模化落地，但芯片不同赛道壁垒差异巨大，标准化芯片追赶更快，高端HBM这类产品挑战依旧艰巨。国产存储已经迈出关键一步，但从技术突破到真正商业化放量，仍需要持续的时间打磨。