再一次换道超车！没有EUV也能造尖端存储，明天存储以及整个半导体板块大概率稳了……

消息上：

北方华创研发出3D DRAM两步循环刻蚀新工艺，实现超500:1选择比和95%结构均匀度，无需EUV光刻机即可推进三维垂直堆叠。该突破有望助力长鑫存储绕过光刻封锁，加速国产3D DRAM自主量产，提升存储密度与性能。（消息来源于快科技）

对于这个消息，真的无比激动，只要看看两个关键词，就知道它有多厉害了：

关键词一：500:1和95%。这说明这技术刻蚀精准无比，极少误伤相邻材料，多层堆叠结构整齐均匀，像盖楼每层一样平。

关键词二：绕开。3D DRAM刻蚀突破绕开EUV光刻机封锁，开辟了一条自主可控的“换道超车”技术路线。

总之这条消息主要大利好有四大方向：

1️⃣最直接利好的无疑是半导体设备与材料

3D DRAM堆叠层数多，刻蚀沉积设备需求大增，国产设备材料采购量随之暴涨，刻蚀设备和材料无疑就是最大赢家。

2️⃣上游材料方面的锗材料。

3D DRAM采用硅与硅锗交替堆叠结构。

3️⃣国产存储芯片设计与制造

国产厂商摆脱EUV依赖，能用自主设备造出更密更强的存储芯片，实现自主量产，这对于国产存储扩产是大有益处的。

4️⃣先进封测延伸受益：后道封测与模组

3D DRAM是三维堆叠器件，传统封装无法处理，必须采用混合键合等先进封测技术，从而带动需求。

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