全球存储芯片原厂出货（位元容量口径，TrendForce/Counterpoint）分为两大品类：DRAM（运行内存）、NAND Flash（闪存/SSD颗粒）；只统计芯片原厂，不含固态硬盘品牌组装厂。说明：不同机构统计口径略有差异，季度会小幅波动；2026为Q1‑Q2最新数据。一、DRAM（DDR/LPDDR/HBM，

**断电数据丢失）**DRAM长期寡头垄断：三星、SK海力士、美光三家占90%以上；国产长鑫存储唯一主流国产DRAM厂商。2023年 DRAM出货排名1. 三星（韩）：≈41%

2. SK海力士（韩）：≈30%

3. 美光（美）：≈24%

4. 长鑫存储（中）：≈2‑3%

5. 南亚科技、华邦电子（中国台湾）：其余份额 2024年 DRAM出货排名1. 三星：≈40%

2. SK海力士：≈32%

3. 美光：≈21%

4. 长鑫存储：≈3‑4%

5. 南亚、华邦电子：剩余2025‑2026 Q1 DRAM出货排名1. 三星：40‑41%

2. SK海力士：29‑31%（HBM高带宽内存全球第一）

3. 美光：19‑21%

4. 长鑫存储（中国合肥）：7‑7.7%，稳定全球第四

5. 南亚科技、华邦电子：合计约2‑3%👉HBM（AI高带宽内存）2026：SK海力士≈58%＞三星≈21%＞美光≈21%。二、NAND Flash（SSD/U盘闪存颗粒，断电保存数据）厂商：三星、SK海力士（含Solidigm）、铠侠（原东芝存储）、美光、西部数据（闪迪）、长江存储（中国武汉） 。2023年 NAND Flash出货排名1. 三星：≈32%

2. SK集团（SK海力士+Solidigm）：≈18%

3. 铠侠（日）：≈16%

4. 西部数据（闪迪）：≈15%

5. 美光：≈14%

6. 长江存储：≈5‑6% 2024年 NAND Flash出货排名1. 三星：≈33‑35%

2. SK集团：≈21‑22%

3. 铠侠：≈14‑16%

4. 西部数据：≈12‑14%

5. 美光：≈11‑13%

6. 长江存储：≈8‑9%2025‑2026 Q2 NAND Flash出货（Counterpoint位元出货口径）1. 三星：25%

2. SK集团（SK海力士+Solidigm）：22%

3. 长江存储（中国）：14%（2026Q2，升至全球第3）

4. 铠侠（日本）：13‑14%

5. 美光：13%

6. 西部数据（闪迪）：11%长江存储出货量已经第三，但营收仍然第五，产品结构以消费级为主，企业级占比还比较低