【SK海力士公布最新HBM进展 】人工智能数据中心使用的高带宽内存（HBM）技术正在出现重大转向。SK海力士美国公司副总裁Lee Jae-sik最新表示，未来行业不仅需要关注HBM本身，还需要关注封装技术如何影响HBM。 Lee在当地时间23日出席了美国斯坦福大学举行的半导体会议Hot Chips 2026，并发表了题为“HBM的高科技封装”演讲。他表示，在人工智能半导体时代，为了确保竞争力，不仅HBM本身的性能需要优化，GPU、封装和代工工艺也必须进行优化。 目前，SK海力士的HBM采用三维堆叠式设计，通过硅通孔将多个核心芯片连接到一个基底芯片上。

HBM目前最高可达16层堆叠。封装技术则采用了MR+MUF（回流焊+注塑底部填充）。 相比于TC+NCF（热压+非导电薄膜），MR+MUF生产效率更高，热阻更低，但更容易发生芯片翘曲，并且存在间隙填充方面的不足。但SK海力士结合了翘曲控制和精细间距集成及窄间隙填充新技术，成功提高了现有HBM的性能。 SK海力士还在开发混合键合封装技术，以实现超越16层堆叠的20层或更多层的目标。该技术可在相同高度下将核心芯片厚度增加高达24%，并通过消除现有微凸点并直接连接芯片，将凸点间距缩小至18微米以下。此外，该技术有望通过更高效的散热来减少发热问题。（财联社）