8月11日，三星电子ParkChang-minMaster称，公司计划从1纳米（A10）制程开始导入High-NA EUV光刻技术，预计2030年商用化。三星原计划在2纳米或1.4纳米节点引入该技术，但因技术需完善调整至1纳米及以下。High-NA EUV可提升分辨率、降低成本，但设备昂贵且对材料要求高。三星2纳米已量产，2029年1.4纳米量产，2030年推1.4纳米改进版及1纳米。