在新能源汽车领域，传统电源产品的价格和性能已逼近物理极限，矩阵变换器OBC拓扑和GaN器件的革新是突破极限的发展方向之一。舍弗勒推出基于双向氮化镓器件的，矩阵变换器单级拓扑OBC平台，提供7 kW、11 kW、22 kW等多功率等级覆盖的产品。从拓扑角度，该平台彻底移除母线电容，实现单级变换，减小高度，提高可靠性。以面向国内220 V单相交流电的产品为例，原边由8颗分立式Mosfet，变为4颗GaN BDS。除了元器件数量减少带来的工艺简化，PCB面积降低以外，双向GaN器件本身的零反向恢复和低RdsON特性，也提高了产品的效率。