存储三巨头被告了多重消息共振！存储板块迎来强催化：涨价预期、国产大额订单、海外反垄断诉讼同步发酵一、行业涨价预期拉满，机构预判内存价格有望再涨50%市场分析师给出乐观预判，DRAM内存价格仍存大幅上行空间，后续涨幅或达50%，存储周期上行逻辑持续强化。叠加重磅产业落地消息，腾讯与长鑫存储达成总额200亿元采购大单，国产存储深度绑定头部互联网算力需求，国产替代需求端支撑力度大幅提升。二、三星、美光、SK海力士遭美国集体诉讼，被控合谋操控DRAM价格6月25日，美国加州联邦法院收到消费者集体诉讼，矛头直指全球DRAM三大龙头三星、SK海力士、美光，指控三家企业串通管控产能、人为制造传统内存供应紧缺，推高全市场存储售价，引发终端“内存涨价潮”。诉讼核心指控逻辑1. 产能倾斜挤压普通DDR供给企业以加码HBM高端算力存储为名义，主动压缩DDR3、DDR4等通用传统DRAM产能。HBM单颗芯片晶圆占用面积约为普通DDR的2倍，同等晶圆产出下，生产HBM会大幅挤占通用内存产能。2. 供需剪刀差持续扩大2026年HBM将消耗全球25%的DRAM晶圆产能，且行业HBM年需求增速高达70%；全年DRAM总晶圆产能仅扩容14%，分给传统消费级、商用DDR的产能增幅仅10%，供需缺口持续放大。原告方指出，三家厂商具备同步扩产传统DRAM的能力，却集体将产能倾斜至利润更高的HBM产品，形成隐性协同减产，刻意收紧通用内存供给。3. 四年DRAM价格暴涨700%，终端成本全面传导受人为控产影响，近四年DRAM价格累计涨幅高达700%，下游终端成本压力持续显现，苹果近期上调iPad、Mac全系产品售价，成为存储涨价向下游传导的典型佐证，也是本次诉讼关键举证依据。三家存储巨头早有价格操纵处罚记录：2005年三星、SK海力士就曾因串通调控DRAM报价、管控供给，向美国司法部认罪。其中三星罚金3亿美元，SK海力士罚款1.85亿美元，叠加尔必达罚金，当年案件合计处罚7.31亿美元，多名企业高管获刑。本次诉讼原告认为，三家企业只是更换“布局HBM高端产能”的包装，再度复刻早年协同控产、操控存储市场价的操作。短期来看，AI算力需求持续爆发，HBM产能抢占通用DRAM晶圆的趋势难以逆转，海外三寡头依旧掌控全球存储产能分配节奏，传统内存供需紧平衡格局大概率延续。本次美国反垄断诉讼能否倒逼海外厂商释放通用DRAM产能、缓和价格上涨趋势，仍存在较大不确定性，后续庭审进展将持续影响存储板块估值波动。本文仅整理公开产业资讯，不构成任何投资建议！