5月25日，《南华早报》等报道，曾参与台积电日本熊本3nm产线关键项目的中国半导体科学家达博（Da Bo），近日正式携整个研究团队回国，并将入职中国一所顶尖高校。

达博此前长期在日本国家材料科学研究所（NIMS）工作，曾是该机构历史上最年轻的独立PI（首席研究员）。他还主导了美国泛林集团（Lam Research）与NIMS的联合研究项目，重点攻关台积电3nm量产线等离子刻蚀设备中的关键材料与工程难题。

报道提到，达博曾开发“白电子”技术，通过控制二次电子能谱，提高二维材料检测效率。这项技术被认为对电子束检测、半导体测试设备非常关键。

在日本期间，达博曾获得多项半导体领域奖项，还被日本电子束领域权威、阪大名誉教授清水隆一公开称为“学术接班人”。

与一般人才回国不同，达博这次属于“整建制回国”。他过去几年在NIMS组建的团队，成员大多为中国研究人员和中科大毕业生，此次几乎整体回到中国。

报道认为，这次回国，直接瞄准中国半导体设备与核心材料领域的薄弱环节。尤其是在5nm以下先进制程所需核心部件、刻蚀材料等方面，中国目前仍高度依赖海外技术。

达博本人则表示，希望推动中国半导体设备、材料和核心零部件达到世界先进水平。